IGBT驱动板
产品咨询 样品申请

联系人:吴海丽
电话:0755-2349 0212
手机:157-1205-5037
邮箱:[email protected]
地址:广东省深圳市龙华新区民治街道向南四区松花大厦

  IKW25N120T2参数及替换资料>>您当前位置:海飞乐技术极速飞艇 > IGBT > IGBT单管 >

IKW25N120T2参数及替换资料

BEE 时间:2019-04-11 17:52

IKW25N120T2 
  IKW25N120T2 IGBT单管,最大连续集电极电流25A,最大集电极-发射极电压1200V,3引脚,TO-247封装。采用本身具备较低通态饱和电压的、成熟的TrenchstopTM技术,实现小尺寸、高可靠性和低关断损耗;不仅具备极低的开关损耗,而且具备较低的导通损耗。适用于变频器、转换器、不间断电源等,同时可维持较高的软度,使产品具备出色的抗电磁干扰性能。
 
IKW25N120T2特性
快速软恢复反并联发射极控制二极管
高击穿电压1200V,提高可靠性
短路耐受时间10μs
最佳的参数分配
耐用性高,温度稳定
低门电荷
低电磁干扰
VCESAT正温度系数,易于并联切换
符合JESD-022的应用要求
无铅电镀;符合RoHS
 
IKW25N120T2应用
•变频器
•不间断电源
 
IKW25N120T2技术参数资料
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 符合  
技术: Si
封装/箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极-发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极-射极饱和电压: 1.7 V
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
在25℃的连续集电极电流: 50 A
Pd-功率耗散: 349 W
工作温度范围: - 40℃~+ 175℃ 
系列: TRENCHSTOP IGBT
封装: Tube
高度: 20.95 mm  
长度: 15.9 mm  
宽度: 5.3 mm  
商标: Infineon Technologies  
栅极—射极漏泄电流: 200 nA  
产品类型: IGBT Transistors  
工厂包装数量: 240  
子类别: IGBTs  
商标名: TRENCHSTOP  
零件号别名: IKW25N120T2FKSA1 IKW25N12T2XK SP000244960  
单位重量: 38 g  
 
IKW25N120T2封装外形
IKW25N120T2封装外形 
 
IKW25N120T2封装尺寸
IKW25N120T2封装尺寸 
 
IKW25N120T2替换资料
  海飞乐技术20A/1200V IGBT单管完美替换IKW25N120T2,我司IGBT采用台湾芯片及先进的工艺技术封装,为您提供优质、高效的可完全替换产品,和国外进口产品相比,我司的该款产品具有货期短、性价比高等优点。我们期待您的咨询与合作!
 
相关资料下载
IKW25N120T2  PDF资料下载
 




上一篇:1200V/25A IGBT替换IKW25N120H3
下一篇:1350V/25A IGBT替换IHW20N135R3

秒速时时彩 三分时时彩 极速3D彩票 飞速赛车平台 极速快三 PK10牛牛 山东群英会直播 极速飞艇 澳洲幸运10开奖结果 三分PK拾平台