IGBT驱动板
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1200V/15A IGBT现货替换IKW15N120T2

BEE 时间:2019-04-01 16:27

1200V/15A IGBT 
  IGBT绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。
 
  海飞乐技术1200V/15A场截止沟槽型IGBT(可替换IKW15N120T2),连续集电极电流15A,集电极-发射极电压1200V,3引脚,TO-247封装。该产品使用创新的设计技术和封装技术,低饱和电压,雪崩稳定性高,短路耐受时间10μs,高速切换,节能降耗,并全面提升能效。更低的开关损耗意味着更高的开关频率,更高的开关速度意味着在功率控制电路中可以使用更小的元器件。实现小尺寸、高可靠性和热性能;成为市场上快速、高效的产品。主要应用于电机驱动、变频器等各类应用。
 
1200V/15A IGBT特性
高击穿电压1200V,提高可靠性
场截止沟槽技术
高速切换
坚固性高,温度稳定
短路耐受时间10μs
低饱和电压
提高雪崩能力
由于VCESAT中的正温度系数,易于并联切换。
 
1200V/15A IGBT应用
变频器
电机驱动
 
1200V/15A IGBT主要技术参数
1200V/15A IGBT主要技术参数 
 
1200V/15A IGBT特性曲线
1200V/15A IGBT特性曲线 
 
1200V/15A IGBT封装外形、尺寸
1200V/15A IGBT封装外形、尺寸 
 
IKW15N120T2技术参数
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 符合 
技术: Si
封装/箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.2 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25℃的连续集电极电流: 30 A
Pd-功率耗散: 235 W
最小工作温度: - 40℃~ + 175℃ 
系列: TRENCHSTOP IGBT
封装: Tube
集电极最大连续电流 Ic: 30 A  
高度: 20.9 mm  
长度: 15.9 mm  
宽度: 5.03 mm  
商标: Infineon Technologies  
栅极-射极漏泄电流: 600 nA  
产品类型: IGBT Transistors  
工厂包装数量: 240  
子类别: IGBTs  
商标名: TRENCHSTOP  
零件号别名: IKW15N120T2FKSA1 IKW15N12T2XK SP000244961  
单位重量: 38 g
 
IKW15N120T2替换资料
  海飞乐技术1200V/15A IGBT替换IKW15N120T2,我司IGBT采用台湾芯片及先进的工艺技术封装,为您提供优质、高效的可完全替换产品,和国外进口产品相比,我司的该款产品具有货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服,我们期待您的咨询与合作!




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