IGBT驱动板
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650V/300A IGBT模块

BEE 时间:2019-10-28 17:07

650V/300A IGBT模块 
650V/300A IGBT模块电路图 
  IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为晶体管,它融和了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点,其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用,在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。  
  海飞乐技术沟槽型场终止IGBT模块,连续集电极电流300A,集电极-发射极电压650V。该产品低通态饱和电压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性、节能降耗,并全面提升能效。产品适用于电焊机、太阳能逆变器、开关电源和不间断电源(SMPS和UPS)等高频应用,帮助最大限度发挥系统的性能。
 
650V/300A IGBT特性
沟槽栅/场终止IGBT
低导通电压
短路耐受时间10μs
低开关损耗
VCE(SAT)正温度系数
具有快速软恢复续流二极管
含铜基板工业标准封装
 
650V/300A IGBT应用
焊机/电源
UPS/逆变器
工业电机驱动器
 
650V/300A IGBT主要技术参数
650V/300A IGBT主要技术参数 
 
650V/300A IGBT特性曲线
650V/300A IGBT特性曲线 
 
650V/300A IGBT封装外形、尺寸
650V/300A IGBT封装外形、尺寸 
 
IGBT模块使用注意事项
  IGBT管的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离由于此氧化膜很薄,IGBT管的UGE 的耐压值为 20V,在IGBT管加超出耐压值的电压时,会导致损坏的危险 此外,在栅极发射极间开路时,若在集电极与发射极间加上电压,则随着集电极电位的变化,由于集电极有漏电流流过,栅极电位升高,集电极则有电流流过 这时,如果集电极与发射极间存在高电压,则有可能使IGBT管发热乃至损坏在应用中,有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压,但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合,也会产生使氧化层损坏的振荡电压为此,通常采用双绞线来传送驱动信号,以减少寄生电感 在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压,如果栅极回路不合适或者栅极回路完全不能工作时(栅极处于开路状态),若在主回路上加上电压,则IGBT管就会损坏 为防止这类损坏情况发生,应在栅极一发射极之间接一只10千欧左右的电阻。此外,由于IGBT管为MOS结构,对于静电就要十分注意。
 
 
  海飞乐技术IGBT采用台湾芯片及先进的工艺技术封装,为您提供优质、高效的产品,和国外产品相比,我司的该款产品具有货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服,我们期待您的咨询与合作!




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