IGBT驱动板
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1200V/400A IGBT模块

BEE 时间:2019-05-09 10:04

1200V/400A IGBT模块 
1200V/400A IGBT模块电路图 
  IGBT兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。
  海飞乐技术沟槽型场终止IGBT模块,连续集电极电流400A,集电极-发射极电压1200V。具有输入阻抗高、开关速度快、通态电压低、阻断电压高、承受电流大、节能、安装维修方便、散热稳定等特点。非常适用于20kHZ的工作环境,如变频器应用、不间断电源应用、太阳能逆变器、焊接机应用等领域。作为电力电子变换器的核心器件,为应用装置的高频化、小型化、高性能和高可靠性奠定了基础。
 
1200V/400A IGBT特性
沟槽栅型场终止IGBT
低导通电压
短路耐受时间10μs
低开关损耗
VCE(SAT)正温度系数
具有快速软恢复续流二极管
含铜基板工业标准封装
 
1200V/400A IGBT应用
焊机/电源
UPS/逆变器
工业电机驱动器
 
1200V/400A IGBT主要技术参数
1200V/400A IGBT主要技术参数 
 
1200V/400A IGBT特性曲线
1200V/400A IGBT特性曲线 
 
1200V/400A IGBT封装外形、尺寸
1200V/400A IGBT封装外形、尺寸 
 
  IGBT模块封装是将多个IGBT集成封装在一起,以提高IGBT模块的使用寿命和可靠性,体积更小、效率更高、可靠性更高是市场对IGBT模块的需求趋势,这就有待于IGBT模块封装技术的开发和运用。目前流行的IGBT模块封装形式有引线型、焊针型、平板式、圆盘式四种,常见的模块封装技术有很多,各生产商的命名也不一样,如英飞凌的62mm封装、TP34、DP70等等。
 
IGBT模块封装过程中的焊接与键合技术
  第一点说到焊接技术,如果要实现一个好的导热性能,我们在进行芯片焊接和进行DBC基板焊接的时候,焊接质量就直接影响到运行过程中的传热性。从上面的结构图我们可以看到,通过真空焊接技术实现的焊接。可以看到DBC和基板的空洞率。这样的就不会形成热积累,不会造成IGBT模块的损坏。
  第二种就是键合技术,富士通公司用的键合技术是超声键合。实现数据变形。键合的作用主要是实现电气连接。在600安和1200安大电流情况下,IGBT实现了所有电流,键合的长度就非常重要,陷进决定模块大小,电流实现参数的大小。运用过程中,如果键合陷进、长度不合适,就会造成电流分布不均匀,容易造成 IGBT模块的损坏。外壳的安装,因为IGBT本身芯片是不直接与空气等环境接触,实现绝缘性能,主要是通过外壳来实现的。外壳就要求在选材方面需要它具有耐高温、不易变形、防潮、防腐蚀等特性。
 
 
  海飞乐技术IGBT采用台湾芯片及先进的工艺技术封装,为您提供优质、高效的产品,和国外产品相比,我司的该款产品具有货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服,我们期待您的咨询与合作!
 




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