IGBT驱动板
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1200V/150A IGBT模块

BEE 时间:2019-04-29 15:17

1200V/150A IGBT模块 
1200V/150A IGBT模块电路 
  IGBT是由BJT和MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。
  海飞乐技术沟槽型IGBT模块,连续集电极电流150A,集电极-发射极电压1200V。该产品低通态饱和电压,节能降耗,并全面提升能效。更低的开关损耗意味着更高的开关频率,更高的开关速度意味着在功率控制电路中可以使用更小的性价比更高的元器件。产品适用于电焊机、太阳能逆变器、开关电源和不间断电源(SMPS和UPS)等高频应用,帮助最大限度发挥系统的性能。
 
1200V/150A IGBT特性
沟槽栅型IGBT
低导通电压
短路耐受时间10μs
低开关损耗
VCE(SAT)正温度系数
具有低正向压降和软恢复续流二极管
含铜基板工业标准封装
 
1200V/150A IGBT应用
焊机/电源
UPS/逆变器
工业电机驱动器
 
1200V/150A IGBT主要技术参数
1200V/150A IGBT主要技术参数参数 
 
1200V/150A IGBT特性曲线
1200V/150A IGBT特性曲线 
 
1200V/150A IGBT封装外形、尺寸
1200V/150A IGBT封装外形、尺寸 
 
  IGBT模块使用安装注意事项
  由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。在安装或更换IGBT模块时,尽量不要用手触摸驱动端子部分,当必须要触摸模块端子时,要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后,再触摸;在用导电材料连接模块驱动端子时,在配线未接好之前请先不要接上模块;尽量在底板良好接地的情况下操作。还应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻,最好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇,当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热,而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查,一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器,当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作 。
 
 
  海飞乐技术IGBT采用台湾芯片及先进的工艺技术封装,为您提供优质、高效的产品,和国外产品相比,我司的该款产品具有货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服,我们期待您的咨询与合作!




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